מדובר בשיא פיתוח שבבי סיליקון *מיועד לטלפונים מדור שלישי

פריסקייל הודיעה כי שבב חדש שנמצא כרגע בפיתוח בחברה מפותח בטכנולוגיית
ייצור של 65 ננו-מטר בלבד - שיא בפיתוח וייצור שבבי סיליקון. השבב המיועד עבור
טלפונים סלולריים מדור השלישי (3G) וייצא לשוק עד אמצע שנת 2005.
החברה מתכננת לשבור את מחסום 90 הננו-מטר ולהגיע ל-65 ננו-מטר, בתהליך ייצור
מיוחד, שמפותח וייושם ע"י ברית "Crolles2" - הסכם שיתוף פעולה בין החברות
Philips, ST Microelectronics ופריסקייל.

"Freescale היא בפירוש המובילה מבין שלוש החברות, בייצור והוצאת שבבים ואבות-
טיפוס", אמר ישראל קשת, נשיא ומנכ"ל Freescale Semiconductor ישראל. "כבר יצרנו
אבטיפוס של שבב ליישומי תקשורת, מבוסס על טכנולוגיית CMOS90, והשבב יצא מעולה
כבר בניסיון הייצור הראשון שלו. שבבים מהסידרה הזאת יוטמעו בטלפונים בטלפונים
סלולרים כבר ברבעון הראשון של שנת 2005".